特点：

• 广泛应用于高压高频脉冲电路中

• 损耗小，内部温升小

• 优异的阻燃性能

• 适合作为IGBT的吸收电容

技术要求：

1. 引用标准：GB/T 14579 (IEC 60384-17)

2. 气候类别：40/85/56

3. 额定温度：85℃

4. 工作温度范围（外壳）：-40℃~85℃

5. 最高允许环境温度：70℃

6. 额定电压：630VDC~2000VDC

7. 电容量范围：0.22uf~9.9uf

8. 电容量偏差：±5%(J), ±10%(K), ±20%(M)

9. 耐电压：1.6Ur (10s)

10. 损耗角正切：<0.0005 (20℃，1KHz)

11. 绝缘电阻：<100 000MΩ  Cr<0.33uf

                                  >30 000s  Cr>0.33uf  (20℃,100V，1min)